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無(wú)錫西門(mén)子雙軸電機(jī)模塊6SL3120-2TE21-0AD0

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  • 更新時(shí)間:2024-01-03

簡(jiǎn)要描述:無(wú)錫西門(mén)子雙軸電機(jī)模塊6SL3120-2TE21-0AD0
SINAMICS S120 雙軸電機(jī)模塊 輸入:600V DC 輸出:3AC 400V,9A/9A 結(jié)構(gòu)形式:書(shū)本型 D 型 內(nèi)部風(fēng)冷 優(yōu)化的脈沖圖形和 支持?jǐn)U展 安全集成功能 包含 DRIVE-CLiQ 電纜

產(chǎn)品詳情

6SL3120-2TE21-0AD0 
SINAMICS S120 雙軸電機(jī)模塊 輸入:600V DC 輸出:3AC 400V,9A/9A 結(jié)構(gòu)形式:書(shū)本型 D 型 內(nèi)部風(fēng)冷 優(yōu)化的脈沖圖形和 支持?jǐn)U展 安全集成功能 包含 DRIVE-CLiQ 電纜 

 無(wú)錫西門(mén)子雙軸電機(jī)模塊6SL3120-2TE21-0AD0 無(wú)錫西門(mén)子雙軸電機(jī)模塊6SL3120-2TE21-0AD0 

我們公司上海蜀乾自動(dòng)SQchendailshdanD設(shè)備有限公司是西門(mén)子11年的代理商,優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品如下
西門(mén)子數(shù)控系統(tǒng) 運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng) 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)
808  828 810D 840D 840DSL  S120變頻器 
控制單元、CF卡、電源模塊、功率模塊、電機(jī)模塊、電抗器、濾波器、伺服電機(jī)、電纜、手輪(手持單元)、操作面板、操作鍵盤(pán)、op屏,數(shù)控主板、NCU、PCU、CCU以及各種數(shù)控零件
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6SL  、6FC、6SN  
6FX 、6AU 、
1FT 、1FK 、1PH 、1FE
1FW 、1FN 、6DD
例如類似的型號(hào)
6SL3000-0CE15-0AA0、6SL3040-1LA00-0AA0、6SL3120-2TE15-0AD0
6SL3100-1AE31-0AB1、6SL3210-1SE31-0UA0、6SL3130-1TE22-0AA0
6SL3054-0EH01-1BA0、6SL3162-2MB00-0AC0、6SL3055-0AA00-4CA5
6FC5203-0AF22-0AA2、6FC5247-0AA06-0AA0、6FC5210-0DF22-2AA0
6SN1118-0DM33-0AA2 、6SN1123-1AA00-0CA2、6SN1145-1AA01-0AA2
6FX2007-1AC14  、6FX2001-5QD13-1AA0、6AU1410-2AD00-0A

 功率模塊的封裝外形各式各樣,新的封裝形式日新月異,一般按管芯或芯片的組裝工藝及安裝固定方法的不同,主要分為壓接結(jié)構(gòu)、焊接結(jié)構(gòu)、直接敷銅DBC基板結(jié)構(gòu),所采用的封裝形式多為平面型以及,存在難以將功率芯片、控制芯片等多個(gè)不同工藝芯片平面型安裝在同一基板上的問(wèn)題。為開(kāi)發(fā)高性能的產(chǎn)品,以混合IC封裝技術(shù)為基礎(chǔ)的多芯片模塊MCM封裝成為目前主流發(fā)展趨勢(shì),即重視工藝技術(shù)研究,更關(guān)注產(chǎn)品類型開(kāi)發(fā),不僅可將幾個(gè)各類芯片安裝在同一基板上,而且采用埋置、有源基板、疊層、嵌入式封裝,在三維空間內(nèi)將多個(gè)不同工藝的芯片互連,構(gòu)成完整功能的模塊。
壓接式結(jié)構(gòu)延用平板型或螺栓型封裝的管芯壓接互連技術(shù),點(diǎn)接觸靠?jī)?nèi)外部施加壓力實(shí)現(xiàn),解決熱疲勞穩(wěn)定性問(wèn)題,可制作大電流、高集成度的功率模塊,但對(duì)管芯、壓塊、底板等零部件平整度要求很高,否則不僅將增大模塊的接觸熱阻,而且會(huì)損傷芯片,嚴(yán)重時(shí)芯片會(huì)撕裂,結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高、比較笨重,多用于晶閘管功率模塊。 焊接結(jié)構(gòu)采用引線鍵合技術(shù)為主導(dǎo)的互連工藝,包括焊料凸點(diǎn)互連、金屬柱互連平行板方式、凹陷陣列互連、沉積金屬膜互連等技術(shù),解決寄生參數(shù)、散熱、可靠性問(wèn)題,目前已提出多種實(shí)用技術(shù)方案。例如,合理結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì)二次組裝已封裝元器件構(gòu)成模塊;或者功率電路采用芯片,控制、驅(qū)動(dòng)電路采用已封裝器件,構(gòu)成高性能模塊;多芯片組件構(gòu)成功率智能模塊。 DBC基板結(jié)構(gòu)便于將微電子控制芯片與高壓大電流執(zhí)行芯片密封在同一模塊之中,可縮短或減少內(nèi)部引線,具備更好的熱疲勞穩(wěn)定性和很高的封裝集成度,DBC通道、整體引腳技術(shù)的應(yīng)用有助于MCM的封裝,整體引腳無(wú)需額外進(jìn)行引腳焊接,基板上有更大的有效面積、更高的載流能力,整體引腳可在基板的所有四邊實(shí)現(xiàn),成為MCM功率半導(dǎo)體器件封裝的重要手段,并為模塊智能化創(chuàng)造了工藝條件。
MCM封裝解決兩種或多種不同工藝所生產(chǎn)的芯片安裝、大電流布線、電熱隔離等技術(shù)問(wèn)題,對(duì)生產(chǎn)工藝和設(shè)備的要求很高。MCM外形有側(cè)向引腳封裝、向上引腳封裝、向下引腳封裝等方案。簡(jiǎn)而言之,側(cè)向引腳封裝基本結(jié)構(gòu)為DBC多層架構(gòu),DBC板帶有通道與整體引腳,可閥框架焊于其上,引線鍵合后,焊上金屬蓋完成封裝。向上引腳封裝基本結(jié)構(gòu)也采用多層DBC,上層DBC邊緣留有開(kāi)孔,引腳直接鍵合在下層DBC板上,可閥框架焊于其上,引線鍵合后,焊上金屬蓋完成封裝。向下引腳封裝為單層DBC結(jié)構(gòu),銅引腳通過(guò)DBC基板預(yù)留通孔,直接鍵合在上層導(dǎo)體銅箔的背面,可閥框架焊于其上,引線鍵合、焊上金屬蓋完成封裝。
綜觀功率模塊研發(fā)動(dòng)態(tài),早已突破初定義是將兩個(gè)或兩個(gè)以上的功率半導(dǎo)體芯片(各類晶閘管、整流二極管、功率復(fù)合晶體管、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管等),按一定電路互連,用彈性硅凝膠、環(huán)氧樹(shù)脂等保護(hù)材料密封在一個(gè)絕緣外殼內(nèi),并與導(dǎo)熱底板絕緣的概念,邁向?qū)⑵骷酒c控制、驅(qū)動(dòng)、過(guò)壓過(guò)流及過(guò)熱與欠壓保護(hù)等電路芯片相結(jié)合,密封在同*緣外殼內(nèi)的智能化功率模塊時(shí)代。
功率電子模塊PEBB
PEBB是一種針對(duì)分布式電源系列進(jìn)行劃分和構(gòu)造的新的模塊化概念,根據(jù)系統(tǒng)層面對(duì)電路合理細(xì)化,抽取出具有相同功能或相似特征的部分,制成通用模塊PEBB,作為功率電子系統(tǒng)的基礎(chǔ)部件,系統(tǒng)中全部或大部分的功率變換功能可用相同的PEBB完成。
PEBB采用多層疊裝三維立體封裝與表面貼裝技術(shù),所有待封裝器件均以芯片形式進(jìn)入模塊,模塊在系統(tǒng)架構(gòu)下標(biāo)準(zhǔn)化,層為散熱器,其次是3個(gè)相同的PEBB相橋臂組成的三相整流橋,再上面是驅(qū)動(dòng)電路,頂層是傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)電路。PEBB的應(yīng)用方便靈活,可靠性高,維護(hù)性好。
集成功率電子模塊IPEM
IPEM研發(fā)的主要內(nèi)容涉及適用于模塊內(nèi)部的,具有通用性的主電路、控制、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)、電源等電路及無(wú)源元件技術(shù),通過(guò)多層互連和高集成度混合IC封裝,全部電路和元器件一體化封裝,形成通用性標(biāo)準(zhǔn)化的IPEM,易于構(gòu)成各種不同的應(yīng)用系統(tǒng)。在IPEM制造中,采用陶瓷基板多芯片模塊MCM-C技術(shù),將信息傳輸、控制與功率器件等多層面進(jìn)行互連,所有的無(wú)源元件都是以埋層方面掩埋在基板中,*取消常規(guī)模塊封裝中的鋁絲鍵合互連工藝,采用三維立體組裝,增加散熱。IPEM克服了IPM內(nèi)部因各功率器件與控制電路用焊絲連接不同芯片造成的焊絲引入的線電感與焊絲焊點(diǎn)的可靠性限制IPM進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。IPEM不采用焊絲互連,增強(qiáng)其可靠性,大大降低電路接線電感,提高系統(tǒng)效率。

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